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簡要描述：晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD、拉曼、EDX
產(chǎn)品型號： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2024-06-03訪 問 量：903相關(guān)文章
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晶體尺寸：8毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷
晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX
X-ray diffraction on a ZrSe3 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal ZrSe3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
Raman spectrum of a single crystal ZrSe3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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